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从WAIC热潮到算力底座:GPU千安级供电下,VRM还是TLVR?

发布日期:2026-07-20 作者: 点击:

2026世界人工智能大会 WAIC 刚在上海进入收官阶段。与往年相比,今年的热度不只来自大模型本身,更来自机器人、智能体、具身智能、AI终端和行业应用的集中落地。公开信息显示,WAIC 2026 于7月17日至20日在上海举办,展览面积首次突破10万平方米,1100余家企业带来3000余项展品,300余款产品全球首发。

热闹的展台背后,是一个越来越现实的问题:当AI从云端模型走向真实应用,算力需求会继续向服务器机柜、电源架构和板级供电传导。GPU/CPU 核心电压低、电流大、负载变化快,电源系统不再只是“能供上电”,而是要在高效率、高功率密度和高瞬态响应之间找到平衡。


这正是多相 VRM 与多相 TLVR 被反复讨论的原因

本文围绕AI服务器核心供电场景,

结合科或电子电感选型指导

拆解两类拓扑的适用边界和选型重点~


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先建立一个量感:1V核心轨,30mV就是红线

如果核心电压要求 ±3% 精度,1V 电源轨的允许波动只有 ±30mV。而AI服务器面对的是数百安培到上千安培量级的高 di/dt 负载阶跃。三十毫伏的窗口,叠加微秒级电流变化,就是AI服务器板级供电真正要解的题。

提高开关频率可以加快响应,但开关损耗会随之上升;堆输出电容可以缓冲瞬态,但板面积、BOM和layout空间会被迅速吃掉。电感处在纹波、电流变化速率、DCR损耗和温升的交点上,选型绕不过它。


拓扑一:AI服务器多相 VRM 供电

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典型多相 VRM 以 DC 12V 输入,由 PWM Controller 驱动 N 相 MOSFET 半桥。Phase 1 至 Phase N 各配一颗独立电感,输出汇流后经输出电容滤波,送至 GPU/CPU 核心电源轨。

各相由控制器错相工作,纹波电流互相抵消,输出电压更平滑。这套结构成熟、成本可控、效率表现稳定,目前大量 CPU/GPU 核心供电仍在使用。

它的限制主要出现在瞬态响应上。每相电感会限制电流爬升速率,进而影响环路带宽。负载突增时,当前导通相先通过展宽占空比补电流,随后其他相位依次接力。这个“依次”会带来延迟,期间输出电压下跌,只能靠输出电容支撑。随着电流需求继续上升,单纯加相数、堆电容的边际成本会越来越高。

KOHER 选型清单:GPU/CPU核心主轨低感值型号

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KOHER 选型清单:外围中小电流DC-DC轨

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系列定位

· MDCE/MDCI 组式电感:高饱和磁特性、饱和电流大、损耗低,组装式磁路设计,DCR精度高,适合CPU/GPU核心供电。

· MDPU/MDPA 模压电感:低矮结构、一体成型全磁屏蔽、EMI表现更友好,适合服务器VRM及外围 DC-DC 开关电源电路。

· TLAR 多相 VR 电感:多相一体成型屏蔽结构,适合关注多相一致性、载流能力和整机能效的板级设计。

VRM 怎么挑

· GPU/CPU核心主轨是大电流、小感值场景,优先看 MDCE/MDCI 组式,或 MDPU 中 0.085-0.15uH 的低感值型号。

· 从现有参数看,低感值核心轨型号 Isat 可覆盖约80-120A,DCR可压到0.11-0.185mOhm;其中 MDPU130806-R10M 的 Isat 120A、DCR 0.11mOhm,适合重点评估。

· 外围中小电流 DC-DC 轨可以使用 1.5-22uH 高感值型号,不必套用核心轨的高规格逻辑。

· 选型时重点盯三个量:电感量决定纹波,Isat决定饱和裕量,DCR决定效率与温升。



拓扑二:AI服务器多相 TLVR 供电

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从功率级拓扑看,TLVR 相比传统多相 VRM 的核心变化,是将每相独立电感换成带二次绕组的耦合电感,通常为1:1结构。一次侧仍连接在开关节点与输出之间;所有相的二次绕组串联成一个闭合回路,并在回路中串入补偿电感 Lc。

负载突增时,变化会通过二次侧串联回路耦合到各相电感上,使更多相位同时参与供流,而不是依次补电流。用一句话概括:传统多相 VRM 更像“轮流补”,TLVR 更接近“一起补”。在理想情况下,等效电流上升速率可接近放大到 N 倍,N 为相数。

TLVR 对电感提出的额外要求

1. Isat 要留足。TLVR 中经 Lc 回路反射回来的纹波会叠加在主电感上,峰值电流可能高于传统多相VRM。如果按传统VRM经验留饱和裕量,稳态或瞬态下都有可能逼近饱和边缘。

2. 不能只看 Lc,要看二次侧回路总电感 Ltsl。Ltsl 由外挂 Lc、各相电感漏感以及PCB走线寄生共同构成。slew rate 和高频纹波都与 Ltsl 密切相关。TI 的相关案例说明,如果实际 Ltsl 被低估,slew-down能力会明显低于预期。因此,Lc装不装、装多大,要结合实测 Ltsl 校准,layout 上建议给 Lc 两端预留测试点和短接跳线。

3. DCR 直接影响效率和温升。进入几百安培乃至更高电流等级后,DCR 的微小差异都会被放大为铜损和热压力,这也是 TLVR 电感强调低DCR、一体成型屏蔽和高饱和能力的原因。


KOHER 选型清单:TLVR 电感


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系列定位

· TLVR 模压电感:低矮结构、低DCR、一体成型全屏蔽,可承受瞬态大电流冲击,不易磁饱和,适合服务器TLVR供电模式。

· MDVR 组式电感:高饱和磁芯、饱和电流大、损耗低,组装式闭合磁路不易漏磁,DCR精度高,适合多相供电与内核电压稳压电路。

TLVR 怎么挑

· 要高 Isat 裕量:可重点评估 TLVR126011-100NM-01,Isat 140A,一次侧 DCR 0.125mOhm,但尺寸也最大。

· 高度受限:TLVR754860 系列高度约6mm,Isat 仍有100-108A,适合作为空间与电流能力之间的折中。

· 要裕量更舒服:TLVR100510-R10M-02 与 MDVR120612-R10K 均为130A等级,可呼应TLVR纹波叠加下的裕量需求。

· 对相间一致性、漏磁和DCR精度敏感:MDVR组式系列值得优先评估。

· Lc 必须与相数、占空比、主电感和实测 Ltsl 协同设计,不能把补偿电感和主电感分开选。




VRM 还是 TLVR:两张拓扑怎么选

· 如果现有多相 VRM 通过合理相数、合适电感和输出电容仍能满足瞬态指标,继续使用VRM是更成熟、成本更可控的选择。

· 如果相数继续增加受限、电容layout放不下、瞬态跌落仍差一档,就应评估TLVR。此时电感要换成TLVR专用件,并重点关注 Isat、DCR、耦合系数、漏感和 Ltsl 实测。

· 具体型号需要结合相数、Vin/Vout、单相电流、瞬态阶跃幅度、目标电压跌落、散热条件和板级空间共同确定。

从整机角度看,6kW-20kW级AI服务器并不是由某一颗电感“单独支撑”,而是由输入电源、板级VR、控制器、功率级、电感、电容、散热和layout共同完成。KOHER电感的价值,是在GPU/CPU核心供电和外围DC-DC轨中,提供低DCR、高Isat、低漏磁和多结构选项,帮助工程师在效率、瞬态响应、温升和空间之间做更稳妥的取舍。




AI越热,底层供电越不能被忽视


WAIC 展示的是 AI 应用的想象力,服务器供电解决的是这份想象力能否稳定运行的工程底座。大模型、智能体、机器人和具身智能继续推高算力需求,GPU/CPU核心供电也会继续向更高电流、更快瞬态和更紧凑板级空间演进。

VRM 仍然成熟可靠,TLVR 正在成为高端AI服务器核心供电的重要方案。真正的选型关键,不是简单判断哪种拓扑更先进,而是看当前平台的瞬态目标、电流等级、空间约束和效率要求。把这些参数拉齐,再回到电感量、Isat、DCR、K值、漏感和Ltsl,才能选到合适的器件。


如果你正在评估AI服务器GPU/CPU核心供电,或需要针对具体相数、Vin/Vout、单相电流和瞬态指标匹配电感型号,可以进一步提供参数,科或电子可协助完成型号建议与样品安排。




本文网址:http://www.kohergroup.com/news/413.html

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